Als Raumladung bezeichnet man eine räumlich begrenzte elektrische Ladungsverteilung. Sie wird durch einen Überschuss negativer oder positiver Ladungsträger verursacht.
Raumladungseffekte treten in vielen elektronischen Bauelementen auf (z. B. Elektronenröhren, Halbleiterdioden, Transistoren), in denen sie entscheidenden Einfluss auf die elektronische Eigenschaften haben.
Auch in Elektronen- und Ionenquellen spielen Raumladungseffekte eine wichtige Rolle. Hier sind die mit den Raumladungen verbundenen elektrischen Felder jedoch häufig unerwünscht, da sie die erreichbare Qualität wichtiger Strahleigenschaften, wie der erreichbaren Intensität oder der Energieauflösung, begrenzen.
Weiterhin müssen Raumladungen beim Design von Gas- und Glimmentladungsröhren berücksichtigt werden.
In der Natur können durch die Bewegung von Wassertropfen und Eiskristallen in Gewitterwolken Raumladungen entstehen, die sich in Form von Blitzen entladen.
Raumladungen in Elektronenröhren
In Elektronenröhren werden Raumladungen durch Glühkathoden erzeugt (Edison-Richardson-Effekt). Zur Vermeidung von unerwünschten Wechselwirkungen der erzeugten Elektronen mit Gas und zur Schonung der Glühkathode werden die Röhren im Vakuum betrieben.
Die in einer Röhre auftretenden Raumladungseffekte sind in Abb. 2 am Beispiel einer einfachen Röhrendiode dargestellt. Die von der Glühkathode der Röhre emittierten Elektronen werden zur Anode abgezogen. Dabei erzeugen die Elektronen selbst elektrische Felder und verzerren dadurch die durch die Anodenspannung verursachte Feldverteilung erheblich. Dies kann soweit gehen, dass am Entstehungsort der Elektronen (der Glühkathode) kein Feld mehr ankommt, da es bereits vorher durch die Raumladungen abgefangen wird. In diesem Fall ist der Anodenstrom nicht mehr abhängig von der Anzahl der von der Kathode emittierten Elektronen, sondern nur noch von der Anodenspannung. Diesen Bereich der Strom-Spannungs-Kennlinie bezeichnet man als raumladungsbegrenzten Strom (s. Abb. 3).
Zwischen Kathode und Anode ergibt sich eine positionsabhängige Dichteverteilung, die sich selbstständig so einregelt, dass die Stromdichte überall gleich ist. So führt z. B. ein Absinken der Stromdichte in einem bestimmten Bereich sofort dazu, dass sich hier zusätzlich Raumladung ansammelt, welche den Durchgriff der Anodenspannung auf die davorliegende Ladung abschirmt, sodass die Stromdichte auch dort soweit absinkt, bis sich ein Gleichgewichtszustand eingestellt hat.
Der Anodenstrom $ I_{a}=jS $ bzw. die Stromdichte $ j $ lassen sich durch das Langmuir'sche bzw. Langmuir-Child'sche Raumladungsgesetz berechnen:
- $ I_{a}=jS={\frac {4}{9}}\varepsilon _{0}{\sqrt {\frac {2e}{m_{e}}}}{\frac {S{U_{a}}^{3/2}}{d^{2}}} $.
mit der Anodenspannung $ U_{a} $, der Vakuum-Dielektrizitätskonstante $ \varepsilon _{0} $, der Elementarladung $ e $, der Elektronenmasse $ m_{e} $, der bestrahlten Anodenfläche $ S $ und dem Kathoden-Anoden-Abstand $ d $.
Die Gleichung gilt unter folgenden (nur näherungsweise gültigen) Annahmen:
- Das Feld ist homogen, d.h. die Elektroden sind planare, parallele Äquipotenzialflächen mit unendlicher Ausdehnung
- Die Elektronen haben beim Austritt aus der Kathode die Geschwindigkeit Null
- Zwischen den Elektroden befinden sich nur Elektronen
- Der Strom ist raumladungsbegrenzt
- Es herrscht ein eingeschwungener Zustand; insbesondere hat sich die Anodenspannung innerhalb der Einschwingzeit nicht geändert.
Bei großen Anodenspannungen lässt sich durch Erhöhung der Anodenspannung kein zusätzlicher Anodenstrom abziehen. Dieser so genannte Sättigungsstrom wird dann erreicht, wenn die Anodenspannung so groß ist, dass sie nicht durch die Raumladung kompensiert werden kann. In diesem Fall werden alle Elektronen, die die Kathode erzeugt, abgesaugt. Der Sättigungsstrom ist daher umso größer, je mehr Elektronen die Kathode emittiert (in Abb. 3 schematisch dargestellt durch drei gestrichelte Sättigungskennlinien für jeweils verschiedene Kathodentemperaturen).
Raumladungen in Halbleiterbauelementen
- Die Entstehungsmechanismen und Auswirkungen von Raumladungszonen in Halbleiterbauelementen (Diode, Transistor) sind im Hauptartikel p-n-Übergang beschrieben.
- Ähnliche Effekte treten auch in Halbleiter-Metallübergängen auf (Schottky-Diode).
