Indiumnitrid


Indiumnitrid

Kristallstruktur
Struktur von Indiumnitrid
__ In3+     __ N3−
Allgemeines
Name Indiumnitrid
Andere Namen

Indium(III)-Nitrid, Indiumstickstoff

Verhältnisformel InN
CAS-Nummer 25617-98-5
PubChem 117560
Eigenschaften
Molare Masse 128,83 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [1]
keine Einstufung verfügbar
H- und P-Sätze H: siehe oben
P: siehe oben
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.
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Indiumnitrid (InN) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Indium und Stickstoff gebildet ist. Potentielle zukünftige Anwendungen dieses Werkstoffes liegen in Kombination von Galliumnitrid im Bereich von Solarzellen.[2]

Der temperaturabhängige Bandabstand von InN beträgt bei 300 K ca. 0,7 eV und liegt im infraroten Spektralbereich.[3] [4] In Kombination mit Galliumnitirid lässt sich aus Indiumnitrid der ternäre Verbindungshalbleiter Indiumgalliumnitrid herstellen, dessen Bandlücke durch das Verhältnis der beiden Verbindungshalbleiter über einen sehr weiten Bereich von 0,7 eV bis 3,4 eV im Rahmen des Herstellungsprozesses wählbar ist.

Dünne polykristalline Strukturen von Indiumnitrid zeigen bei Temperaturen unter Tc=3,3 K supraleitende Eigenschaften, die auch unter dem Einfluss von hohen magnetischen Flussdichten bestehen bleiben.[5]

Einzelnachweise

  1. Diese Substanz wurde in Bezug auf ihre Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
  2. T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff (Eds), Indium Nitride and Related Alloys (CRC Press, 2009)
  3. V. Yu. Davydov: Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap, Phys. Stat. Solidi (b) 229 (2002) R1 (engl.)
  4.  EL-ELA, FMABOU and EL-ASSY, BM: Electron transport in wurtzite InN. In: Pramana. 79, 2012, S. 125, doi:10.1007/s12043-012-0294-5.
  5. T. Inushima: Electronic structure of superconducting InN, in Sci. Techn. Adv. Mater. 7, 2006, Seiten 112; doi:10.1016/j.stam.2006.05.009.