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Mithilfe einer Maskierungsschicht ist es möglich, Diffusion, Ionenimplantation, Ätzen oder eine physikalische Gasphasenabscheidung auf eine unter der Maskierung befindlichen Schicht selektiv durchzuführen. Bei letzterer handelt es sich in den meisten Fällen um eine Siliziumscheibe (Wafer), einen Rohling für integrierte Halbleiterschaltungen.
Die Maske selbst stellt eine Vorlage für die Prozesse dar, mit denen mikrofeine, geometrische Strukturen auf bzw. in die Oberfläche des Halbleitersubstrats gebracht werden (Transistoren, Leiterbahnen etc.).
Ein gängiges Verfahren zur Herstellung einer Maskierungsschicht ist die Fotolithografie mit der eine Maskierungsschicht aus Photolack erzeugt wird, die als Ätz- oder Implantationsmaske verwendet werden kann. Um Diffusionsprozesse durchzuführen dient die Lackmaske allerdings nur zur Strukturierung der eigentlichen Diffusionsmaske aus z. B. Siliciumdioxid, da eine Lackmaske nicht für hohe Prozesstemperaturen geeignet ist.
