Datei:Chemical-mechanical polishing (CMP-108, conditioner).jpg

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Originaldatei(1.024 × 768 Pixel, Dateigröße: 359 KB, MIME-Typ: image/jpeg)

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Beschreibung
English: Pad conditioner (Chiaping model 108) for the chemical-mechanical polishing (CMP), which removes material from uneven topography on a wafer surface until a flat surface is created.
Deutsch: Pad-Konditioner (Chiaping Modell 108) für das chemisch-mechanische Polieren (CMP), CMP entfernt Material auf einer Wafer-Oberfläche und glättet somit eine unebenen Topographie.
Datum
Quelle CMP-108
Urheber cpxmn

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Lizenz

w:de:Creative Commons
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12. April 2010

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aktuell15:53, 12. Apr. 2010Vorschaubild der Version vom 15:53, 12. Apr. 20101.024 × 768 (359 KB)wikimediacommons>Cepheiden{{Information |Description={{en|CMP CHEMICAL MECHANICAL POLISHING removes material from uneven topography on a wafer surface until a flat surface is created.}} |Source=[http://www.flickr.com/photos/22041495@N02/2126608662/ CMP-108] |Date=2005-08-25 14:10

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